题目：稀土元素掺杂氮化镓（GaN）的性能与研究进展(Structural and optical properties of rare earth doped GaN)
地点：校本部东区7号楼510会议室（材料基因组工程研究院）
时间： 2019年10月10日 9：30-10：30
邀请人：王生浩
报告人简介：秋本克洋，博士，于1979年在日本京都大学获博士学位，于1979年到1993年在索尼中央研究院从事蓝光激光及发光二极管材料的研发，是蓝光激光器的研究先驱（2003年“日本経済新聞社刊”出版书籍《蓝光LED和激光器的先驱者》，书中位列了日本在发光二极管（LED）和激光器领域杰出的七位科学家，其中有中村修二、赤崎勇、天野浩、秋本克洋等七位教授）。秋本教授于1993到筑波大学从事教学及科研工作，1998年晋升教授，2012至2014年担任筑波大学理学部部长，现任筑波大学特命教授。发表SCI收录文章205篇，著有半导体相关书籍（章节）专著12本，获得美国授权专利8项，日本授权专利26项，任《Journal of Crystal Growth》期刊客座编辑、《Applied Surface Science》期刊顾问编委、《Japan Journal of Applied Physics》编辑委员。
报告简介：稀土元素掺杂的半导体具有优异的光学特性，故其在LED显示、上转换、下转换等领域有很好的应用价值。本报告将介绍铕（Eu）掺杂和铽（Tb）掺杂的氮化镓（GaN）的结构特性、光学性能和缺陷特性，并就基于稀土掺杂的LED器件发光特性展开讨论。
